高壓MOS管62150A 1500V場(chǎng)效應(yīng)管STW21N150-KIA MOS管

高壓MOS管KNX62150A：漏源擊穿電壓高達(dá)1500V，漏極電流最大值為11A；RDS (on) = 2.4mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于高壓電源、新能源汽車電機(jī)等。封裝形式：TO-247；腳位排列位GDS。

KNX62150A--兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。KNX62150A可替代1500V場(chǎng)效應(yīng)管STW21N150。

高壓MOS管62150A 1500V-產(chǎn)品特征

符合RoHS

RDS（開(kāi)啟），典型值=2.4Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

高壓MOS管62150A 1500V-產(chǎn)品應(yīng)用

高壓電源

電容器放電

脈沖電路

高壓MOS管62150A 1500V-封裝

高壓MOS管 62150A 1500V

高壓MOS管62150A 1500V-參數(shù)

高壓MOS管 62150A 1500V

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高壓MOS管 62150A 1500V