power mosfet結(jié)構(gòu)電氣符號,電力場效應(yīng)管-KIA MOS管

電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，電力場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型，通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET），結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。

電力場效應(yīng)管（power mosfet）有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置 。

電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、原理

電力場效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。

電力場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結(jié)構(gòu)有很大區(qū)別。小功率絕緣柵MOS管是擴(kuò)散形成的器件，導(dǎo)電溝道平行于芯片表面，橫向?qū)щ?。電力場效?yīng)晶體管大多采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，提高了器件的耐電壓和耐電流的能力。按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的不同，又可分為2種：V形槽VVMOSFET和雙擴(kuò)散VDMOSFET。

電力場效應(yīng)晶體管采用多單元集成結(jié)構(gòu)，一個器件由成千上萬個小的MOSFET組成。N溝道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散電力場效應(yīng)晶體管一個單元的部面圖，如圖1(a)所示。電氣符號，如圖1(b)所示。

電力場效應(yīng)晶體管有3個端子：漏極D、源極S和柵極G。當(dāng)漏極接電源正，源極接電源負(fù)時，柵極和源極之間電壓為0，溝道不導(dǎo)電，管子處于截止。如果在柵極和源極之間加一正向電壓UGS，并且使UGS大于或等于管子的開啟電壓UT，則管子開通，在漏、源極間流過電流ID。UGS超過UT越大，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，漏極電流越大。

電力場效應(yīng)管基本特性

靜態(tài)特性

（1）漏極電流ID和柵源間電壓

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性。

ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。

（2）MOSFET的漏極伏安特性（即輸出特性）：

截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）

飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）

非飽和區(qū)（對應(yīng)GTR的飽和區(qū)）

工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。

漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時導(dǎo)通。

通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。

（3）動態(tài)特性

開通過程

開通延遲時間td(on)

上升時間tr

開通時間ton——開通延遲時間與上升時間之和

關(guān)斷過程

關(guān)斷延遲時間td(off)

下降時間tf

關(guān)斷時間toff——關(guān)斷延遲時間和下降時間之和

MOSFET的開關(guān)速度

MOSFET的開關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系。

可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻Rs減小時間常數(shù)，加快開關(guān)速度。

不存在少子儲存效應(yīng)，關(guān)斷過程非常迅速。

開關(guān)時間在10~100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。

場控器件，靜態(tài)時幾乎不需輸入電流。但在開關(guān)過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅(qū)動功率。

開關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動功率越大。

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