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pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)條件-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2023-12-18　

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pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)條件-KIA MOS管


導(dǎo)通、截至、飽和條件

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

電流關(guān)系:IE=IC+IB

當(dāng)VE>VB>VC時(shí),即發(fā)射極正偏,集電極反偏,三極管處于放大狀態(tài);

當(dāng)VE>VC>VB時(shí),即發(fā)射極正偏,集電極正偏,三極管處于飽和狀態(tài);

當(dāng)VB>VE>VC時(shí),即發(fā)射極反偏,集電極反向,三極管處于截止?fàn)顟B(tài);


pnp放大狀態(tài)：

放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏

Ub<Ue，Ub>Uc

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

pnp飽和狀態(tài)：

發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

Ue>Ub，Uc>Ub

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

pnp截止?fàn)顟B(tài)：

pnp放大區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)

對(duì)于PNP型三極管，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏就是指集電極電壓小于基極電壓，發(fā)射極電壓小于基極電壓。（以PN結(jié)指向?yàn)閰⒖迹?/span>

Ub>Uc,Ub>Ue PN結(jié)直接處于截止?fàn)顟B(tài)。


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