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Ciss輸入電容

定義：輸入電容是柵極與源極、漏極之間的總電容，由柵源電容（Cgs）和柵漏電容（Cgd）并聯(lián)而成，即Ciss = Cgs + Cgd。

作用：輸入電容影響MOS管的開關(guān)速度。當(dāng)輸入電容充電至閾值電壓時(shí)，器件才能開啟；放電至一定值時(shí)，器件才能關(guān)斷。因此，驅(qū)動(dòng)電路和Ciss對器件的開啟和關(guān)斷延時(shí)有著直接的影響。

Ciss輸入電容詳解

這是當(dāng)漏源短接時(shí)測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個(gè)參數(shù)對于驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了驅(qū)動(dòng)器需要提供的最大充電電流，以確保MOSFET能夠快速開啟或關(guān)閉。

Ciss反映柵極驅(qū)動(dòng)電路需充/放電的總電荷量，直接影響MOSFET的開關(guān)速度。當(dāng)Ciss較大時(shí)，柵極充電時(shí)間延長，開關(guān)延遲增加，同時(shí)驅(qū)動(dòng)電流需求更高。

Ciss電容直接影響開關(guān)的上升時(shí)間和下降時(shí)間，因?yàn)闁艠O電壓的變化需要通過外部驅(qū)動(dòng)電路對Ciss充電。

測量條件：通常在規(guī)格書中，Ciss是在特定的漏源電壓（Vds）和柵源電壓（Vgs）下測得的（例如Vgs=0V，Vds=25V，f=1MHZ)。

應(yīng)用影響：較大的Ciss意味著需要更大的柵極驅(qū)動(dòng)電流或更長的充電時(shí)間，從而可能降低開關(guān)速度。在高頻應(yīng)用中，Ciss較小的MOSFET更受歡迎。

不同的MOSFET結(jié)構(gòu)對寄生電容特性的影響

平面型MOSFET（Planar MOSFET）：傳統(tǒng)的構(gòu)造方式，具有相對較大的Coss值，因此更適合低頻應(yīng)用。這類器件的制造工藝較為成熟，成本較低，但在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)不如其他類型。

溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）：通過減少單元面積內(nèi)的有效柵長來降低Ciss和Crss，從而提高了工作頻率上限。溝槽型MOSFET可以在較小的芯片尺寸下實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更好的熱性能，但同時(shí)也面臨著柵氧化層應(yīng)力的問題。

屏蔽柵MOSFET（Shielded Gate MOSFET, SGT）：引入了額外的屏蔽層來減小Cgd，進(jìn)而優(yōu)化了開關(guān)特性并降低了噪聲敏感度。這種結(jié)構(gòu)有助于改善MOSFET的抗干擾能力和可靠性。

超結(jié)MSOFET（Super Junction MOSFET, SJ）：采用特殊的摻雜技術(shù)，在保持低導(dǎo)通電阻的同時(shí)大幅減少了Coss，非常適合用于高效率轉(zhuǎn)換器中。超結(jié)結(jié)構(gòu)允許更高的擊穿電壓，同時(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻，這對于提高電源轉(zhuǎn)換效率非常有利。

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