充電器mos管,500v5a場(chǎng)效應(yīng)管,TO-252,?KIA5N50HD參數(shù)-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-12-20
KIA5N50HD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V,漏極電流5A,低導(dǎo)通電阻RDS(on)=1.0Ω,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,最小化開關(guān)損耗以及在峰值電流或脈沖寬度方面表現(xiàn)出卓越的性能,高效穩(wěn)定,符合RoHS環(huán)保要求,專用于HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中,封裝形式:TO-252。
漏源電壓:500V
漏極電流:5A
柵源電壓:±20V
閾值電壓:2-4V
單脈沖雪崩能量:260MJ
功率耗散:100W
總柵極電荷:14nC
輸入電容:525PF
輸出電容:64PF
反向傳輸電容:12PF
開通延遲時(shí)間:9nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:30nS
上升時(shí)間:11ns
下降時(shí)間:16ns
聯(lián)系方式:鄒先生
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