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電源場效應(yīng)管,90a30vmos管,KND3303C參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-05-22 

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電源場效應(yīng)管,90a30vmos管,KND3303C參數(shù)引腳圖-KIA MOS管


90a30vmos管,KND3303C參數(shù)引腳圖

KND3303C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.2mΩ,最小化開關(guān)損耗;低Crrs、快速開關(guān),高效率低損耗;100%經(jīng)雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力,穩(wěn)定可靠;適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等多種應(yīng)用場景,能夠有效減小功率損耗和提高整體效率;封裝形式:TO-252,體積小、散熱良好。

90a30vmos管,KND3303C

90a30vmos管,KND3303C參數(shù)

漏源電壓:30V

漏極電流:90A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:400A

雪崩能量單脈沖:289MJ

總功耗:70W

閾值電壓:1-2.2V

總柵極電荷:60nC

輸入電容:3280PF

輸出電容:360PF

反向傳輸電容:320PF

開通延遲時間:10nS

關(guān)斷延遲時間:54nS

上升時間:100ns

下降時間:98ns

90a30vmos管,KND3303C規(guī)格書

90a30vmos管,KND3303C

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