crss是什么電容,反向傳輸電容Crss詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-17
Crss是MOSFET中的反向傳輸電容，物理本質(zhì)為柵極-漏極電容（Cgd），也稱為米勒電容。
Crss的定義
Crss是MOSFET規(guī)格書中的關(guān)鍵參數(shù)之一，定義為柵極（Gate）與漏極（Drain）之間的電容，即柵漏電容Cgd。由于其在開關(guān)過程中通過米勒效應(yīng)顯著影響器件動態(tài)性能，故常被稱為米勒電容。
Crss的電路特性
1.開關(guān)速度影響：Crss在MOSFET開關(guān)過程中主導(dǎo)米勒平臺階段，延長柵極電壓變化的充放電時間，從而降低開關(guān)速度并增加損耗。
2.高頻特性：較大的Crss會導(dǎo)致漏源電壓（VDS）上升/下降時間延長，易引發(fā)自激振蕩，需通過優(yōu)化驅(qū)動電路或選擇低Crss器件抑制。
3.電壓依賴性：Crss隨漏源電壓（VDS）升高而減小，但幾乎不受溫度變化影響。
MOSFET的三個主要電容參數(shù)，輸入電容（Ciss）、輸出電容（Coss）和反向傳輸電容（Crss）決定了器件在開關(guān)過程中的速度和效率。
由于 MOSFET的結(jié)構(gòu)，會產(chǎn)生寄生電容（CGS、CGD、CDS）。這些寄生電容會影響開關(guān)特性。
在MOSFET中，柵極由一層薄的氧化硅實(shí)現(xiàn)絕緣。因此，功率MOSFET在柵極-漏極、柵極-源極和漏極-源極之間具有電容，具體如圖所示。電容會影響MOSFET的開關(guān)性能。
反向傳輸電容Crss、輸入電容Ciss、輸出電容Coss
反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導(dǎo)開關(guān)期間VDS變化階段（米勒平臺），延長開關(guān)時間并增加損耗；
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，總電荷決定柵極充電時間，影響開啟延遲；
輸出電容Coss=Cds+Cgd，儲存能量導(dǎo)致關(guān)斷時VDS上升時間及損耗。
開通時，開啟延遲由Cgs充電至閾值電壓（Vth），米勒平臺由Cgd充電；關(guān)斷時類似，初始階段Cgs放電，米勒平臺由Cgd放電。Cgd和Cgs是決定開關(guān)速度的主要電容。
提高開關(guān)速度需：縮短Cgd/Cgs充放電時間（如降低驅(qū)動電阻、提高驅(qū)動電流）、選低Crss器件（減小米勒電容）、優(yōu)化布局降低寄生參數(shù)。
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
