碳化硅mos管工作頻率是多少,SiC碳化硅-KIA MOS管

碳化硅mos管工作頻率

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達(dá)1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。

傳統(tǒng)MOSFET與碳化硅MOSFET的頻率對(duì)比

傳統(tǒng)MOSFET

工作頻率：約60kHz

限制因素：受材料特性與寄生參數(shù)影響，難以突破MHz級(jí)別。

碳化硅MOSFET

工作頻率：可達(dá)1MHz甚至更高（如國(guó)產(chǎn)1200V型號(hào)內(nèi)阻13mmΩ的產(chǎn)品可穩(wěn)定運(yùn)行在1MHz以上）。

優(yōu)勢(shì)：高頻特性使其在電源系統(tǒng)中可顯著減小電容、電感體積，降低成本并實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)。

高頻特性應(yīng)用

1.效率提升：高頻開(kāi)關(guān)可減少導(dǎo)通損耗，例如在100kHz時(shí)效率仍超95%，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件。

2.散熱優(yōu)化：高頻開(kāi)關(guān)降低導(dǎo)通時(shí)間，減少對(duì)散熱片依賴(lài)，延長(zhǎng)設(shè)備壽命。

3.場(chǎng)景適配：新能源汽車(chē)充電樁、軌道交通等需高頻響應(yīng)的電力電子系統(tǒng)。對(duì)比IGBT（工作頻率通常低于40kHz），碳化硅MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。

SiC碳化硅MOS管

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

碳化硅mos管工作頻率

碳化硅MOSFET具有高頻高效，高耐壓，高可靠性。可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)

與Si 材料相比，碳化硅材料較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC 器件的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高工作溫度。尤其在SiC MOSFET 的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。

碳化硅MOSFET結(jié)構(gòu)

碳化硅mos管工作頻率