無抽頭zvs電路圖,zvs電路原理詳解-KIA MOS管

ZVS電路原理

ZVS（Zero Voltage Switching，零電壓開關(guān)）工作原理是基于諧振原理，通過在開關(guān)管開通和關(guān)斷時(shí)創(chuàng)造零電壓條件，從而減少開關(guān)損耗和電磁干擾。

ZVS是一種軟開關(guān)技術(shù)，通過電感與電容的諧振特性，在開關(guān)器件導(dǎo)通前將其兩端電壓降至零，從而避免傳統(tǒng)硬開關(guān)中電壓-電流交疊導(dǎo)致的能量損耗。

工作原理步驟：

1.諧振階段：開關(guān)關(guān)斷時(shí)，電感電流與電容形成諧振回路，迫使寄生電容放電；

2.零電壓導(dǎo)通：當(dāng)電容電壓降至接近零時(shí)，觸發(fā)開關(guān)導(dǎo)通；

3.能量轉(zhuǎn)移：導(dǎo)通后電流通過負(fù)載，完成能量傳輸。

電路結(jié)構(gòu)與工作模式

常見的推挽式ZVS電路構(gòu)成：

對稱MOSFET：兩個(gè)功率開關(guān)管交替工作，形成推挽結(jié)構(gòu)；

諧振網(wǎng)絡(luò)：包含電感（L）與電容（C），通常采用LC并聯(lián)諧振；

扼流圈：限制電流突變，防止浪涌損壞器件。

電路工作時(shí)，MOSFET因器件參數(shù)差異形成導(dǎo)通順序差，通過正反饋機(jī)制實(shí)現(xiàn)自激振蕩。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，諧振電流對電容充放電，從而在下一個(gè)導(dǎo)通周期前將電壓復(fù)位至零。

ZVS電路圖

推挽振蕩ZVS電路是一種高效的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，是利用諧振技術(shù)使MOSFET在零電壓（或接近零電壓）時(shí)開關(guān)，減少開關(guān)損耗，提高效率；廣泛用于感應(yīng)加熱、高頻逆變、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。

推挽電路采用兩個(gè)MOSFET交替工作，每個(gè)MOSFET關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電流會(huì)流入對方MOSFET的體二極管，并逐漸衰減，使得MOSFET在導(dǎo)通前漏極電壓自然降到零。這與半橋LLC諧振變換器的工作方式類似，通過諧振元件的儲(chǔ)能與釋放，實(shí)現(xiàn)ZVS。

推挽振蕩ZVS電路原理

電路核心是兩個(gè)MOSFET交替導(dǎo)通/截止，并利用電感和電容（LC諧振）形成高頻振蕩。

工作過程：

1.電源上電后，推挽驅(qū)動(dòng)電路開始工作，使兩個(gè)MOSFET交替導(dǎo)通，形成交變電流。2.MOSFET開關(guān)時(shí)，諧振電感（L1、L2）和諧振電容（C1-C4）組成LC諧振電路，在導(dǎo)通前降低MOSFET的漏極電壓，實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS）。

3.電流交替流經(jīng)負(fù)載（如感應(yīng)線圈），形成高頻磁場。

4.由于ZVS特性，MOSFET在接近零電壓時(shí)開關(guān)，大幅降低開關(guān)損耗，提高效率，減少發(fā)熱。

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