1.該電路用于高邊開(kāi)關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí)，開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通； 2.電路中D3作...1.該電路用于高邊開(kāi)關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí)，開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通； 2.電路中D3作用為鉗位Q1門(mén)源電壓在12V左右，以保護(hù)Q1；
DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能（下圖），這些...DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能（下圖），這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量開(kāi)釋給負(fù)載。
下面以圖10中電機(jī)控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控...下面以圖10中電機(jī)控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控制電路中，上管導(dǎo)通時(shí)，VDD通過(guò)Q1、Q4對(duì)電機(jī)進(jìn)行勵(lì)磁；上管關(guān)斷時(shí)，電機(jī)通過(guò)Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能發(fā)生振鈴，進(jìn)而可能導(dǎo)致MOSFET損壞。
dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)...dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差vBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短...
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該...雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開(kāi)關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
