首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時分別設置好NMOS溝道長度和寬度，還...首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時分別設置好NMOS溝道長度和寬度，還有將對應器件電壓也設置成變量，設成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先進的溝槽技術 低柵電荷 高電流能力 ...RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先進的溝槽技術 低柵電荷 高電流能力 符合RoHS和無鹵素標準
全橋電路在實際的項目中運用的也比較多(比如電機，半導體制冷片等)，有時候全橋...全橋電路在實際的項目中運用的也比較多(比如電機，半導體制冷片等)，有時候全橋芯片會達不到我們的需求(比如功率特別大的時候)，這時就需要搭建一個符合我們需求的...
通過公式1算出電容值應為1μF左右，但在實際應用中存在這樣的問題，即當占空比...通過公式1算出電容值應為1μF左右，但在實際應用中存在這樣的問題，即當占空比接近100%（見圖3a）時，由于占空比很大，在每次上橋關斷后Vs電壓不能完全回零，導致...
在實際調試MOS管驅動電路時，如果大家用示波器測一下MOS管gate極的波形，就會發(fā)...在實際調試MOS管驅動電路時，如果大家用示波器測一下MOS管gate極的波形，就會發(fā)現(xiàn)MOS管每次打開時，其柵極波形會出現(xiàn)類似于正弦波的阻尼振蕩，這不僅使得MOS開關不...
MOS管3503 70A30V參數(shù)-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進的溝槽...MOS管3503 70A30V參數(shù)-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進的溝槽技術 低門電荷 高電流能力
