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17N10場效應管,259a100v,KCX017N10N參數(shù)資料-KIA MOS管...

KCX017N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進的MOS技術制造，...KCX017N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關損耗，提高...

n溝道m(xù)os管開關電路,原理圖分享-KIA MOS管

nmos管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負載上，電壓表、電流...nmos管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負載上，電壓表、電流表分別測量，記錄值是5V、500uA；切換Key開關，模擬電源反接時，測得記錄值是-49.55...

直流快充樁和交流充電樁區(qū)別,優(yōu)缺點詳解-KIA MOS管

交流充電樁輸出的依然是交流電，這種電流需要經(jīng)過車載充電機(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電...交流充電樁輸出的依然是交流電，這種電流需要經(jīng)過車載充電機(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電后才能為電池充電。這一轉(zhuǎn)換過程限制了充電速度，因為車載充電機的功率通常有限(3.3...

12N10場效應管參數(shù),330a100v,KCX012N10N參數(shù)-KIA MOS管...

KCX012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進的MOS技術制造，...KCX012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關損耗，高...