boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當(dāng) mosfet 開啟時(shí)，二極管中...boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當(dāng) mosfet 開啟時(shí)，二極管中的電流為 0，電感電流線性增大；當(dāng) mosfet 關(guān)斷時(shí)，二極管與電感串聯(lián)，二者電流相等...
輸入偏置電流會(huì)流過(guò)外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運(yùn)放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運(yùn)放話后就...輸入偏置電流會(huì)流過(guò)外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運(yùn)放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運(yùn)放話后就到了運(yùn)入的輸出端，造成了運(yùn)放的輸入誤差。
KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可...KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。...
運(yùn)放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios，眾說(shuō)周知，理想運(yùn)放是沒(méi)有輸入偏置...運(yùn)放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios，眾說(shuō)周知，理想運(yùn)放是沒(méi)有輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios 的。但每一顆實(shí)際運(yùn)放都會(huì)有輸入偏置電流 Ib 和輸入失...
運(yùn)放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會(huì)形成運(yùn)放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)...運(yùn)放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會(huì)形成運(yùn)放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)用中，運(yùn)算放大器的輸入電容都不會(huì)造成問(wèn)題。但在某些應(yīng)用中會(huì)引起放大電路的不穩(wěn)定...
KIA65R700超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管650V7A，減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能優(yōu)異，可在雪...KIA65R700超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管650V7A，減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能優(yōu)異，可在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合于交流/直流功率轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式操作，...
