（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMO...（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMOS 管要更小。一般來說，導(dǎo)通內(nèi)阻越小，其 Gate 端的結(jié)電容就越大，所以 PMOS 管的開...
基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接...基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接電路，MOS管類型的防反接保護電路，具有低功耗和壓降小的優(yōu)點。
這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承...
輸入低頻紋波 (1) 增加輸出低頻濾波的電感、電容容量及數(shù)量輸入低頻紋波 (1) 增加輸出低頻濾波的電感、電容容量及數(shù)量
采用電阻實現(xiàn)電流檢測時，要注意電阻的容差（1%或更低）和溫度系數(shù)（100ppm/°...采用電阻實現(xiàn)電流檢測時，要注意電阻的容差（1%或更低）和溫度系數(shù)（100ppm/°C），因為高精度的電阻可以提高開關(guān)電源電流檢測的精度和穩(wěn)定性，在多相電源時，還可...
KIA15TB60 15A 600V?描述 該系列是最先進的設(shè)備，設(shè)計用于開關(guān)電源、逆變器和...KIA15TB60 15A 600V?描述 該系列是最先進的設(shè)備，設(shè)計用于開關(guān)電源、逆變器和續(xù)流二極管。
