舉個(gè)例子,比如輸入的柵源信號(hào)是Vgs+VGS,分析小信號(hào)時(shí),只看Vgs,這樣在電路中...舉個(gè)例子,比如輸入的柵源信號(hào)是Vgs+VGS,分析小信號(hào)時(shí),只看Vgs,這樣在電路中其作用產(chǎn)生的Ids為IDS關(guān)于VGS(直流信號(hào))求偏導(dǎo)后乘以Vgs,這里的IDS關(guān)于VGS求偏導(dǎo)...
在飽和區(qū)時(shí)MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個(gè)壓控電流源,電流值為,且...在飽和區(qū)時(shí)MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個(gè)壓控電流源,電流值為,且由于柵源之間的低頻阻抗很高,因此可得到一個(gè)理想的MOS管的小信號(hào)模型,如圖所示。...
放大器是電子產(chǎn)品的組成部分,用于放大低幅度信號(hào)。放大器在增強(qiáng)信號(hào)方面起著非...放大器是電子產(chǎn)品的組成部分,用于放大低幅度信號(hào)。放大器在增強(qiáng)信號(hào)方面起著非常重要的作用,特別是在音頻和電力電子方面。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管,雖然...場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管,雖然MOSFET和BJT都是晶體管,但它們的工作方式不同,表現(xiàn)出不同的行為,因此它們的使用方...
MOSFET放大器簡(jiǎn)單電路圖如下圖所示,在該電路中,漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID...MOSFET放大器簡(jiǎn)單電路圖如下圖所示,在該電路中,漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID)、柵源電壓 (VGS) 以及柵極、源極和漏極的位置通過字母“G”、“S”和“ D”。
共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號(hào)在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時(shí),o/p電壓可...共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號(hào)在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時(shí),o/p電壓可以通過漏極內(nèi)負(fù)載處的電阻器放大和獲得。在此配置中,源端子充當(dāng)i/p和o/p之間的公共...