截止區(qū):iDS為0,Vo恒為Vs。 飽和區(qū):對(duì)應(yīng)電流源模型,Vo隨Vin快速變化。 線...截止區(qū):iDS為0,Vo恒為Vs。 飽和區(qū):對(duì)應(yīng)電流源模型,Vo隨Vin快速變化。 線性區(qū):對(duì)應(yīng)電阻模型,Vo隨Vin緩慢變化。
圖 1 顯示了處于開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過(guò)程,該過(guò)程基于電感鉗位電路...圖 1 顯示了處于開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過(guò)程,該過(guò)程基于電感鉗位電路,該電路具有很少的關(guān)鍵寄生參數(shù) Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生參數(shù)對(duì) SiC MOSFET 的特...
方案1可以設(shè)置R1,C1,R2,C2的數(shù)值以完成不同的延時(shí),從而可以改變上電順序,...方案1可以設(shè)置R1,C1,R2,C2的數(shù)值以完成不同的延時(shí),從而可以改變上電順序,但是有缺點(diǎn),因?yàn)樵诠╇娀芈分写?lián)了電阻,如果是給功放等大功率的器件供電,會(huì)產(chǎn)生...
穩(wěn)壓二極管有一個(gè)特性,比如上面的穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓就是5.6V,也就是說(shuō),當(dāng)其左...穩(wěn)壓二極管有一個(gè)特性,比如上面的穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓就是5.6V,也就是說(shuō),當(dāng)其左端的電壓沒(méi)有達(dá)到5.6V的時(shí)候,其是不導(dǎo)通的,當(dāng)電壓達(dá)到5.6V,這個(gè)穩(wěn)壓管才會(huì)導(dǎo)通,...
延時(shí)電路一般用在對(duì)于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開(kāi)始(上電時(shí))較大的電路而...延時(shí)電路一般用在對(duì)于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開(kāi)始(上電時(shí))較大的電路而言。
當(dāng)開(kāi)啟電壓達(dá)到MOS管開(kāi)啟電壓后MOS管才能打開(kāi),DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮...當(dāng)開(kāi)啟電壓達(dá)到MOS管開(kāi)啟電壓后MOS管才能打開(kāi),DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮,電路中有一顆關(guān)鍵的元器件C1電容,當(dāng)按下SW1時(shí)電壓開(kāi)始給C1充電,只有當(dāng)電容充到...