SM和RM兩管互補(bǔ)導(dǎo)通，SM導(dǎo)通時(shí)電源給電感充電，SM電流i1線性上升；當(dāng)RM導(dǎo)通時(shí)，...SM和RM兩管互補(bǔ)導(dǎo)通，SM導(dǎo)通時(shí)電源給電感充電，SM電流i1線性上升；當(dāng)RM導(dǎo)通時(shí)，i1變?yōu)?，電感給負(fù)載放電，RM電流i2線性下降，具體波形如下圖所示。
防浪涌抑制電路的基本原理是利用場(chǎng)效應(yīng)管的電流放大特性，控制輸入電流從0逐漸...防浪涌抑制電路的基本原理是利用場(chǎng)效應(yīng)管的電流放大特性，控制輸入電流從0逐漸增加，緩慢的為輸出側(cè)電容充電，直至場(chǎng)效應(yīng)管完全導(dǎo)通，從而避免由于輸出側(cè)電容的瞬...
PMOS管用作電源開關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開關(guān)時(shí)因開關(guān)速度過快導(dǎo)致電源被拉下...PMOS管用作電源開關(guān)注意事項(xiàng)：PMOS管作電源開關(guān)時(shí)因開關(guān)速度過快導(dǎo)致電源被拉下。
一般情況下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja P是芯片最大的功耗 Rjc是結(jié)殼間的...一般情況下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja P是芯片最大的功耗 Rjc是結(jié)殼間的熱阻Rja表示結(jié)與環(huán)境間的熱阻
結(jié)溫是處于電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高于外殼...結(jié)溫是處于電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高于外殼溫度和器件表面溫度。結(jié)溫可以衡量從半導(dǎo)體晶圓到封裝器件外殼間的散熱所需時(shí)間以及...
芯片溫度是指晶體管芯片本身的溫度Tj（結(jié)溫）。芯片溫度Tj是周圍（環(huán)境）溫度T...芯片溫度是指晶體管芯片本身的溫度Tj（結(jié)溫）。芯片溫度Tj是周圍（環(huán)境）溫度Ta與芯片發(fā)熱量相加后的溫度，是考慮額定值和壽命時(shí)最重要的因素之一。
