TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C） TC：芯片封裝表面溫度（Pack...TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C） TC：芯片封裝表面溫度（Package case temperature, °C） TB：放置芯片的PCB板溫度（Board temperature adjace...
開關(guān)電源關(guān)鍵元件的各個(gè)參數(shù)中英文對照表開關(guān)電源關(guān)鍵元件的各個(gè)參數(shù)中英文對照表
一種方法直接看工藝庫參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫是基于BSIM，參數(shù)超級多，有考慮到...一種方法直接看工藝庫參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫是基于BSIM，參數(shù)超級多，有考慮到很多二級效應(yīng)。如果直接用工藝庫的參數(shù)vth0，UnCox來計(jì)算的話，會發(fā)現(xiàn)計(jì)算的值和仿...
1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至擊穿mos管（因...1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至擊穿mos管（因?yàn)橹灰猩倭康撵o電便會使mos管的G-S極間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓），起到了保護(hù)mo...
MOS管柵極與源極加電阻作用 1、為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過電阻分壓從而得到分...MOS管柵極與源極加電阻作用 1、為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供一個(gè)偏置電壓；
該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7，并以此...該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7，并以此得出了電流波形不振蕩的最小門極電阻的計(jì)算公式。
