TTL反相器是TTL電路的基本環(huán)節(jié)。TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導...TTL反相器是TTL電路的基本環(huán)節(jié)。TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導體三極管，所以稱晶體管—晶體管邏輯門電路，簡稱TTL電路。
反向器由NMOS和PMOS組成，柵端（G）相連作為輸入端，漏斷相連作為輸出端，NMOS...反向器由NMOS和PMOS組成，柵端（G）相連作為輸入端，漏斷相連作為輸出端，NMOS的源端接地，PMOS的源端接電源VDD.
提高電路穩(wěn)定性，避免引起誤動作。圖1中的按鍵如果不通過電阻上拉到高電平，那...提高電路穩(wěn)定性，避免引起誤動作。圖1中的按鍵如果不通過電阻上拉到高電平，那么在上電瞬間可能就發(fā)生誤動作，因為在上電瞬間單片機的引腳電平是不確定的，上拉電...
電平較低的一端被認為是源極。襯底和地相連。 晶體管狀態(tài)由Vg控制。 Vg為低電...電平較低的一端被認為是源極。襯底和地相連。 晶體管狀態(tài)由Vg控制。 Vg為低電平--源極和漏極之間無連接--晶體管斷開--開關(guān)斷開 Vg為高電平--源極和漏極之間相連...
分析：當輸入1為高電平+5V，輸入2也為高電平+5V時，Q11基極通過R24接到+5V,發(fā)射...分析：當輸入1為高電平+5V，輸入2也為高電平+5V時，Q11基極通過R24接到+5V,發(fā)射極接地，形成回路，Q11導通，Q9發(fā)射極接+5V，基極通過R19以及導通的Q11接地，形成回...
很多電路中，MOS管柵源兩極的并聯(lián)電阻，主要是為了放電，因為MOS管內(nèi)部類似于一...很多電路中，MOS管柵源兩極的并聯(lián)電阻，主要是為了放電，因為MOS管內(nèi)部類似于一個電容，如果PWM信號 Dout沒有下拉功能，MOS導通后就會一直處于導通狀態(tài)，這里并聯(lián)...
