繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個(gè)名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做...繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個(gè)名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型襯底上,要有一個(gè)N型注入層,這一層要覆蓋整個(gè)有源區(qū)。
P-SUB工藝,NMOS 的襯底都是一樣的,都是P-SUB,所以不可以將源極和襯底接一塊...P-SUB工藝,NMOS 的襯底都是一樣的,都是P-SUB,所以不可以將源極和襯底接一塊,不然通過襯底短接會(huì)影響其他NMOS的特性,因此NMOS的襯底只能接GND(低電位);
RDS(on) =3.5mΩ(typ.)@ VGS =10V 100%雪崩測(cè)試 可靠、堅(jiān)固耐用 無鉛和綠...RDS(on) =3.5mΩ(typ.)@ VGS =10V 100%雪崩測(cè)試 可靠、堅(jiān)固耐用 無鉛和綠色設(shè)備可用(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))
鉗位器(clamper)可以將輸入波形整體上移或下移,“clamper”在 英語中的原意...鉗位器(clamper)可以將輸入波形整體上移或下移,“clamper”在 英語中的原意是“夾具”的意思,很形象地說明了它可以把波形任意鉗夾在某個(gè)電平處。
近年來,以碳化硅(Silicon Carbide, SiC)MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因...近年來,以碳化硅(Silicon Carbide, SiC)MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),已成為高頻、高溫、高功率密度電力...
①插入式封裝:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92; ②表面貼裝...①插入式封裝:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92; ②表面貼裝式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;