所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高...所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操作將導(dǎo)致反向偏置 pn 結(jié)中的高電場。由于碰撞電離，高電場會(huì)產(chǎn)生電子-空...
如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻）...如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻），導(dǎo)致電壓隨負(fù)載電流下降，那么當(dāng)比較器輸入超過其UVLO閾值時(shí)，比較器的輸出將在高...
無需編程的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器包括內(nèi)置的控制換向算法，因此無需進(jìn)行電機(jī)控制軟件的開發(fā)...無需編程的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器包括內(nèi)置的控制換向算法，因此無需進(jìn)行電機(jī)控制軟件的開發(fā)、維護(hù)和認(rèn)證。這些電機(jī)驅(qū)動(dòng)器通常從電機(jī)獲取反饋（例如霍爾信號(hào)或電機(jī)相位電壓和電...
測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載，該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使...測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載，該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)功率MOSFET就可以構(gòu)建一個(gè)簡單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載，如圖1所示...
KNX3406A TO252/60V80A產(chǎn)品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供無鉛和綠...KNX3406A TO252/60V80A產(chǎn)品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供無鉛和綠色設(shè)備 低無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)開啟，以減少傳導(dǎo)損耗 高雪崩電流
設(shè) VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V PN結(jié)的導(dǎo)通壓降VON=0.7V A點(diǎn):輸入為0，T1管be...設(shè) VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V PN結(jié)的導(dǎo)通壓降VON=0.7V A點(diǎn):輸入為0，T1管be結(jié)正偏，bc結(jié)正偏，T1處于飽和狀態(tài)，c1壓降很低，T2管的基極與c1接在一起，所以T2管...
