關(guān)斷IGBT時(shí)由于電感中儲(chǔ)存有能量，集電極-發(fā)射極間會(huì)發(fā)生浪涌電壓。緩沖電路可...關(guān)斷IGBT時(shí)由于電感中儲(chǔ)存有能量，集電極-發(fā)射極間會(huì)發(fā)生浪涌電壓。緩沖電路可以抑制施加在IGBT上的過電壓和關(guān)斷損耗的增加。這是由于緩沖電容器可以分擔(dān)關(guān)斷時(shí)的...
RS單體吸收電路 ( 1 )抑制關(guān)斷浪涌電壓效果好。 ( 2 )最適用于斬波器。 ( 3...RS單體吸收電路 ( 1 )抑制關(guān)斷浪涌電壓效果好。 ( 2 )最適用于斬波器。 ( 3 ) IGBT容量較大時(shí), R1 , R2阻值選取小,開通時(shí)增加了IGBT集電極的容性開通電流,損耗...
分布電壓就是由兩個(gè)存在壓差而又相互絕緣的導(dǎo)體所產(chǎn)生的。其實(shí)在任何電路中，任...分布電壓就是由兩個(gè)存在壓差而又相互絕緣的導(dǎo)體所產(chǎn)生的。其實(shí)在任何電路中，任何兩個(gè)存在壓差的絕緣導(dǎo)體之間都會(huì)形成分布電容，只是大小不同的問題。一般在高頻電...
開關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開關(guān)元件或二極管并...開關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開關(guān)元件或二極管并聯(lián)，而寄生電感L通常與其串聯(lián)。由于這些寄生電容與電感的作用，開關(guān)元件在通斷工作...
從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個(gè)RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸...從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個(gè)RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸收電路，這里有一個(gè)規(guī)律，就是在開關(guān)管開/關(guān)的時(shí)候，跟電感形成一個(gè)回路。
首先來看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5 這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義： 1、Lk是變壓器漏感（實(shí)際還...
