SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術，藉...SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴散形成一個氮摻雜（...
很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電...很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向上流動的。其實這是一個誤解，...
測量開關電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候，通常要去除示波器探頭...測量開關電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減...
當只有3V電源時，VOUT采用3V供電；當5V電源有效時，切換至5V供電。當只有3V電源時，VOUT采用3V供電；當5V電源有效時，切換至5V供電。
混合集成電路（HIC），是單獨的裝置，例如半導體器件的構造的小型化的電子電路...混合集成電路（HIC），是單獨的裝置，例如半導體器件的構造的小型化的電子電路（例如晶體管，二極管或單片集成電路）和無源元件（例如電阻器、電感器、變壓器和電...
穩(wěn)壓二極管主要用來構成直流穩(wěn)壓電路，這種直流穩(wěn)壓電路結構簡單，穩(wěn)壓性能一般...穩(wěn)壓二極管主要用來構成直流穩(wěn)壓電路，這種直流穩(wěn)壓電路結構簡單，穩(wěn)壓性能一般。下圖所示是穩(wěn)壓二極管構成的典型直流穩(wěn)壓電路。電路中，VZ1是穩(wěn)壓二極管，R1是VZ...
