MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer：場(chǎng)效應(yīng)管（Field-EffectTransistor）通過(guò)不同的搭配...MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer：場(chǎng)效應(yīng)管（Field-EffectTransistor）通過(guò)不同的搭配可以構(gòu)成各種各樣的門(mén)電路，如開(kāi)篇所說(shuō)，這些最基本的單元電路或許是現(xiàn)代IC的基礎(chǔ)。...
MOS管的關(guān)斷緩沖電路：在帶變壓器的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲校_(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電壓和電流...MOS管的關(guān)斷緩沖電路：在帶變壓器的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲?，開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，電壓和電流的重疊引起的損耗是開(kāi)關(guān)電源損耗的主要部分，同時(shí)，由于電路中存在雜散電感和雜散電...
MOS管柵極最高電壓：大部分MOS管指定了最大柵源極間電壓(±20V)。如果超過(guò)這個(gè)...MOS管柵極最高電壓：大部分MOS管指定了最大柵源極間電壓(±20V)。如果超過(guò)這個(gè)限制,器件就容易被損壞。當(dāng)MOS管工作時(shí)使用柵極輸入電阻,并在一個(gè)具有較大供電電壓的...
KNF7650MOS管500V25A參數(shù)-特性：高級(jí)平面流程，RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS =...KNF7650MOS管500V25A參數(shù)-特性：高級(jí)平面流程，RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS = 10v，低柵極電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化，堅(jiān)固的多晶硅柵極結(jié)構(gòu)?
轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)如圖1(b)所示， 由于場(chǎng)效應(yīng)管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(qū)(恒流...轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)如圖1(b)所示， 由于場(chǎng)效應(yīng)管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū))，此時(shí)iD幾乎不隨VDs而變化，即不同的VDs 所對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)幾乎是重合的，所...
三極管驅(qū)動(dòng)蜂鳴器：蜂鳴器是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中使用的最常見(jiàn)的一種預(yù)警發(fā)聲器件,...三極管驅(qū)動(dòng)蜂鳴器：蜂鳴器是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中使用的最常見(jiàn)的一種預(yù)警發(fā)聲器件,我們常使三極管的工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)驅(qū)動(dòng)它。然而越簡(jiǎn)單的電路,很多人在設(shè)計(jì)時(shí)往往越容...
