薄膜場(chǎng)效應(yīng)管解析：場(chǎng)效應(yīng)管是利用改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件,...薄膜場(chǎng)效應(yīng)管解析：場(chǎng)效應(yīng)管是利用改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件,這種器件不但具有一般半導(dǎo)體三極管體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),而且還有輸...
自旋場(chǎng)效應(yīng)管（Spin-FET）， 也稱為自旋偏振（極化）半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這是...自旋場(chǎng)效應(yīng)管（Spin-FET）， 也稱為自旋偏振（極化）半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這是一種半導(dǎo)體自旋電子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來(lái)的。
場(chǎng)效應(yīng)管圖標(biāo)：場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場(chǎng)效應(yīng)管有4...場(chǎng)效應(yīng)管圖標(biāo)：場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場(chǎng)效應(yīng)管有4個(gè)電極:柵極G1、極柵G2、源極S和漏極D)。場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G、源極S和漏極D的功能分別對(duì)...
隧穿場(chǎng)效應(yīng)管介紹：在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中。...隧穿場(chǎng)效應(yīng)管介紹：在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶...
逆變器燒場(chǎng)效應(yīng)管原因：逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，并且流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管的電...逆變器燒場(chǎng)效應(yīng)管原因：逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，并且流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管的電流很大，若場(chǎng)效應(yīng)管選型不合適、驅(qū)動(dòng)電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，皆可導(dǎo)致場(chǎng)效...
浮柵場(chǎng)效應(yīng)管解析：閃存（Flash）技術(shù)利用的場(chǎng)效應(yīng)管就是浮柵場(chǎng)效應(yīng)管。FLASH技...浮柵場(chǎng)效應(yīng)管解析：閃存（Flash）技術(shù)利用的場(chǎng)效應(yīng)管就是浮柵場(chǎng)效應(yīng)管。FLASH技術(shù)是采用特殊的浮柵場(chǎng)效應(yīng)管作為存儲(chǔ)單元。這種場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與普通場(chǎng)管有很大區(qū)別...
