可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾...可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾值電壓絕對值都隨溫度的升高而降低。
HID 600V KIA06TB60D 該系列是最先進的器件，設(shè)計用于開關(guān)電源、逆變器和續(xù)流...HID 600V KIA06TB60D 該系列是最先進的器件，設(shè)計用于開關(guān)電源、逆變器和續(xù)流二極管。
結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，...結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測定方法與標識方法有差異。實際上結(jié)電容還包括引線電極與管芯之間的電容、管芯...
從圖5可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)功率MOSFET輸出電容的遲滯效應(yīng)，與其漏極源極所加電壓VDS直...從圖5可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)功率MOSFET輸出電容的遲滯效應(yīng)，與其漏極源極所加電壓VDS直接相關(guān)，這種效應(yīng)大多發(fā)生在低壓階段，這也表明，超結(jié)功率MOSFET輸出電容的遲滯效應(yīng)...
理論上，ZVS軟開關(guān)過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實際應(yīng)用中卻發(fā)現(xiàn)...理論上，ZVS軟開關(guān)過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實際應(yīng)用中卻發(fā)現(xiàn)，功率MOSFET在ZVS軟開關(guān)過程中，COSS電容充放電過程存在一定的額外損耗，無法恢復(fù)存...
