1. 勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體...1. 勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會形成空間電荷區(qū)（...
單位面積容值 相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1/3 MOS電容值...單位面積容值 相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1/3 MOS電容值。
MOS 電容：兩端結(jié)構(gòu)的mos管，電容值不精確，可以實(shí)現(xiàn)隨控制電壓變化而變化的容...MOS 電容：兩端結(jié)構(gòu)的mos管，電容值不精確，可以實(shí)現(xiàn)隨控制電壓變化而變化的容值，上下極板接法不可互換。
HID氙氣燈 KIA08TB70D-描述 該系列是最先進(jìn)的設(shè)備，設(shè)計(jì)用于開關(guān)電源、逆變器...HID氙氣燈 KIA08TB70D-描述 該系列是最先進(jìn)的設(shè)備，設(shè)計(jì)用于開關(guān)電源、逆變器和續(xù)流二極管。
在CMOS工藝中,通常采用平板電容和MOS電容兩種不同的類型,此外還有與偏置電壓有...在CMOS工藝中,通常采用平板電容和MOS電容兩種不同的類型,此外還有與偏置電壓有關(guān)的PN結(jié)非線性電容和引線寄生電容等。
