如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電...如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流就等同于熱領(lǐng)域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
高溫反偏測試主要用于驗證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗對象是MOSFET邊緣結(jié)...高溫反偏測試主要用于驗證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗對象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點或退化效應(yīng)。
SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬...SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點，而這個平衡點就是開...優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點，而這個平衡點就是開關(guān)導(dǎo)通時漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形，理想的驅(qū)動波形如...
電源正常接入，也就是電源沒有正負反接，此時電源正常對負載供電。假設(shè)拿掉MOS...電源正常接入，也就是電源沒有正負反接，此時電源正常對負載供電。假設(shè)拿掉MOS管g極的電阻R1，此時MOS管將不導(dǎo)通，但Vin可以通過MOS管的體二極管對負載進行供電。...
