當通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時，其功耗應(yīng)該是寄生二極管的正向電...當通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時，其功耗應(yīng)該是寄生二極管的正向電壓×電機電流。然而實際上，有時功耗可能會大于這個計算值。
柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個延遲時間為開關(guān)時間。開關(guān)時間如表1...柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個延遲時間為開關(guān)時間。開關(guān)時間如表1所示種類，一般而言，規(guī)格書上記載td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧...在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。其中，Cgs、Cgd的容...
MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影...MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影響。
對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓...對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET驅(qū)動器的電流驅(qū)動能力并不影響由MOSFET柵極的容性負載...
