當(dāng)開啟電壓達(dá)到MOS管開啟電壓后MOS管才能打開，DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮...當(dāng)開啟電壓達(dá)到MOS管開啟電壓后MOS管才能打開，DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮，電路中有一顆關(guān)鍵的元器件C1電容，當(dāng)按下SW1時(shí)電壓開始給C1充電，只有當(dāng)電容充到...
在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。...在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)影響其他開關(guān)的通與斷，即開關(guān)之間相互“獨(dú)...
本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長(zhǎng)比。是代表著溝道寬度W與溝道長(zhǎng)度L的比例。這...本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長(zhǎng)比。是代表著溝道寬度W與溝道長(zhǎng)度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個(gè)基本概念。溝道（channel）是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管中源區(qū)和漏區(qū)之...
導(dǎo)通功率損耗主要來(lái)源于功率電流在通態(tài)電阻Rds（（on）上產(chǎn)生的熱。 從公式來(lái)...導(dǎo)通功率損耗主要來(lái)源于功率電流在通態(tài)電阻Rds（（on）上產(chǎn)生的熱。 從公式來(lái)看，漏極電流IDS和溫度系數(shù)K不變的前提下，降低通態(tài)損耗的方式/只有降低通態(tài)電阻Rds...
放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)...放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)參數(shù)直接影響實(shí)際電路中的小信號(hào)放大倍數(shù)。
