此處是低端電流取樣檢測，根據(jù)運放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=...此處是低端電流取樣檢測，根據(jù)運放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我們算V+=mos流過電阻電流*R2 ，整...
假設(shè)上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據(jù)電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）...假設(shè)上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據(jù)電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）=1V。因為虛短：V+ = V-。 （式1）
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠...KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼...
S1端輸出低電平，MOS管導通，S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平，MOS管截至，S...S1端輸出低電平，MOS管導通，S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平，MOS管截至，S2端輸出高電平。 S1端輸出高阻，MOS管截至，S2端輸出高電平 。
1、Q1、Q2為NMOS，Q3、Q4和Q5為PMOS管，D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池，B...1、Q1、Q2為NMOS，Q3、Q4和Q5為PMOS管，D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池，BAT2的容量比BAT1大，VIN_5V為外部電源，VOUT為輸出，給系統(tǒng)供電。 3、VOUT會從優(yōu)先...
