在MOS管的柵極加上電壓時，當柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時，MOS管即可導通（不能...在MOS管的柵極加上電壓時，當柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時，MOS管即可導通（不能大太多，否則會燒毀）。當源極電壓確定后，我們可以通過控制柵極電壓實現(xiàn)MOS管的導...
TTL反相器是TTL電路的基本環(huán)節(jié)。TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導...TTL反相器是TTL電路的基本環(huán)節(jié)。TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導體三極管，所以稱晶體管—晶體管邏輯門電路，簡稱TTL電路。
反向器由NMOS和PMOS組成，柵端（G）相連作為輸入端，漏斷相連作為輸出端，NMOS...反向器由NMOS和PMOS組成，柵端（G）相連作為輸入端，漏斷相連作為輸出端，NMOS的源端接地，PMOS的源端接電源VDD.
提高電路穩(wěn)定性，避免引起誤動作。圖1中的按鍵如果不通過電阻上拉到高電平，那...提高電路穩(wěn)定性，避免引起誤動作。圖1中的按鍵如果不通過電阻上拉到高電平，那么在上電瞬間可能就發(fā)生誤動作，因為在上電瞬間單片機的引腳電平是不確定的，上拉電...
電平較低的一端被認為是源極。襯底和地相連。 晶體管狀態(tài)由Vg控制。 Vg為低電...電平較低的一端被認為是源極。襯底和地相連。 晶體管狀態(tài)由Vg控制。 Vg為低電平--源極和漏極之間無連接--晶體管斷開--開關(guān)斷開 Vg為高電平--源極和漏極之間相連...
