近年來(lái)，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因...近年來(lái)，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力...
①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝...①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；
超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場(chǎng)建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區(qū)）過(guò)...超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場(chǎng)建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區(qū)）過(guò)程中，N型漂移層兩側(cè)的空間電荷區(qū)邊界會(huì)向中心移動(dòng)，如圖2所示，隨著VDS電壓的升高，...
這是有刷直流電機(jī)PWM的H橋恒流驅(qū)動(dòng)電路示例。這是普通的驅(qū)動(dòng)器電路，可以使用內(nèi)...這是有刷直流電機(jī)PWM的H橋恒流驅(qū)動(dòng)電路示例。這是普通的驅(qū)動(dòng)器電路，可以使用內(nèi)置的比較器進(jìn)行電機(jī)電流的ON/OFF控制，即PWM控制。
電池測(cè)試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測(cè)試等測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出...電池測(cè)試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測(cè)試等測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±5°C時(shí)，設(shè)備的電流和電壓控制精度需要優(yōu)于滿量程的±...
