“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯(cuò)，但“流過電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電...“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯(cuò)，但“流過電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電機(jī)的功耗，因此，正確的做法是應(yīng)先求出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的輸出功耗，再加上IC電路的功耗...
如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯(lián)的主回路和驅(qū)動(dòng)回路，并設(shè)置相關(guān)雜...如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯(lián)的主回路和驅(qū)動(dòng)回路，并設(shè)置相關(guān)雜散參數(shù)，環(huán)境溫度為室溫。 外部主回路：直流源800Vdc、母線電容Capacitor（含寄生參...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。...MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個(gè)R DS （on）的想法看起來非常簡單：當(dāng)FET截止時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高 ...
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di/dt速率上測得的輸出電...圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di/dt速率上測得的輸出電荷和反向恢復(fù)電荷，這代表了一個(gè)事物的兩個(gè)方面。在左側(cè)，Qrr在360A/μs時(shí)測得的值為...
所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高...所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操作將導(dǎo)致反向偏置 pn 結(jié)中的高電場。由于碰撞電離，高電場會(huì)產(chǎn)生電子-空...
