iv特性曲線-伏安特性曲線,即電流-電壓曲線。iv特性曲線定義了電子設(shè)備的工作特...iv特性曲線-伏安特性曲線,即電流-電壓曲線。iv特性曲線定義了電子設(shè)備的工作特性。這里的電壓指的是源漏偏壓,電流指的是漏電極電流。iv特性曲線是雙電極器件體系...
直流電(DC,direct current),又稱“恒流電”,恒定電流是直流電的一種,是大...直流電(DC,direct current),又稱“恒流電”,恒定電流是直流電的一種,是大小和方向都不變的直流電。直流電是電荷的單向流動(dòng)或者移動(dòng),通常是電子。電流密度隨...
開(kāi)關(guān)特性:首先MOS管是壓控器件,作為開(kāi)關(guān)使用時(shí),NMOS管只要滿足Vgs大于Vgs(...開(kāi)關(guān)特性:首先MOS管是壓控器件,作為開(kāi)關(guān)使用時(shí),NMOS管只要滿足Vgs大于Vgs(th)即可導(dǎo)通。開(kāi)關(guān)損耗:MOS的損耗主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通...
典型的MOSFET包括源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。在功率MOSFET...典型的MOSFET包括源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。在功率MOSFET中,通常還有一個(gè)額外的區(qū)域,稱為體區(qū)(Bulk或Body),這個(gè)區(qū)域與源極相連。由于MO...
場(chǎng)效應(yīng)管-FET和MOS管-MOSFET在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面有所區(qū)別。場(chǎng)效應(yīng)管(FE...場(chǎng)效應(yīng)管-FET和MOS管-MOSFET在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面有所區(qū)別。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一個(gè)更廣泛的概念,包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS-FE...