MOS管，全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E...MOS管，全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，MOSFET。MOS管是一種半導(dǎo)體器件，工作原理是基于其內(nèi)部的絕緣柵...
速度飽和效應(yīng)：在強(qiáng)電場(chǎng)環(huán)境下，載流子的漂移速度隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加的幅度...速度飽和效應(yīng)：在強(qiáng)電場(chǎng)環(huán)境下，載流子的漂移速度隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加的幅度逐漸降低，并最終趨于飽和狀態(tài)的現(xiàn)象。
PC817光耦合器，由一個(gè)紅外發(fā)射二極管（IRLED）和一個(gè)與其光耦合的光電晶體管組...PC817光耦合器，由一個(gè)紅外發(fā)射二極管（IRLED）和一個(gè)與其光耦合的光電晶體管組成，具有隔離、放大和變換信號(hào)等功能，在電子電路中應(yīng)用廣泛。PC817利用光耦合效應(yīng)...
肖特基勢(shì)壘（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，即具有...肖特基勢(shì)壘（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，即具有大的勢(shì)壘高度，以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或價(jià)帶上態(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸，就如同二極管...
LM741是一款通用運(yùn)算放大器芯片，它具有通過(guò)兩個(gè)引腳進(jìn)行零偏移調(diào)整的能力；被...LM741是一款通用運(yùn)算放大器芯片，它具有通過(guò)兩個(gè)引腳進(jìn)行零偏移調(diào)整的能力；被認(rèn)為是電壓跟隨器電路的最合適選擇，因?yàn)闆]有閂鎖；LM741的共模輸入電壓范圍也非常高...
