晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造、電路符號(hào)圖文詳解-KIA MOS管

晶閘管簡(jiǎn)介

晶閘管是在半導(dǎo)體二極管、三極管往后發(fā)現(xiàn)的一種新式的大功率半導(dǎo)體器材，它是一種可操控的硅整流元件，亦稱可控硅。

晶閘管的外形如圖所示，分為螺栓形峻峭板形兩種，螺栓形帶有螺栓的那一端是陽極A，它可與散熱器固定，另一端的粗引線是陰極K，細(xì)線是操控極（又稱門極）G，這種構(gòu)造替換元件很便利，用于十0A以下的元件。

平板形，基地的金屬環(huán)是操控極G，離操控極遠(yuǎn)的一面是陽極A，近的一面是陰極K，這種構(gòu)造散熱作用比照好，用于200A以上的元件。

晶閘管是由四層半導(dǎo)體構(gòu)成的。圖（a）、（b）、（c）所示別離為螺栓形晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造、晶閘管的構(gòu)造暗示和標(biāo)明符號(hào)。

晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造

晶閘管的構(gòu)造是由四層半導(dǎo)體資料疊成三個(gè)PN結(jié)，并在對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體資料上引出了三個(gè)電極。這三個(gè)電極別離稱為：A-陽極，G-操控極，K-陰極。

晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造

在晶閘管的陽極和陰極之間加正向電壓而控制極不加電壓時(shí)，由于PN結(jié)J2為反向偏置，所以晶閘管不導(dǎo)通，即處于阻斷狀態(tài)；而當(dāng)外加電壓極性相反時(shí)，由于J1和J3反向偏置，晶閘管仍然阻斷。

這兩種情況均相當(dāng)于開關(guān)處于斷開狀態(tài)。如果在陽極和陰極之間加正向電壓的同時(shí)，在控制極與陰極之間也加上一個(gè)正向電壓，則晶閘管就由阻斷變?yōu)閷?dǎo)通，而且管壓降很小，約1V左右，相當(dāng)于開關(guān)處于閉合狀態(tài)?？梢?，晶閘管相當(dāng)于一個(gè)可以控制的單方向?qū)щ姷拈_關(guān)。

從晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造剖析，能夠?qū)⒕чl管等效為以如圖所示辦法相聯(lián)接的NPN和PNP兩個(gè)三極管VT1、VT2。設(shè)三極管VT1和VT2的拓寬倍數(shù)別離為β1、β2。

晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造