NMOS門(mén)電路圖文詳細(xì)分析-KIA MOS管

1. E/EMOS反相器

（1）電路結(jié)構(gòu)

反相器又稱(chēng)“非”門(mén)電路，NMOS反相器如圖1所示。圖中T1為輸入器件也稱(chēng)驅(qū)動(dòng)管；T2的柵極與漏極相聯(lián)，作為T(mén)1漏極的負(fù)載電阻，故稱(chēng)負(fù)載管。

由于使用集成電路制造工藝來(lái)制作一個(gè)高阻值的電阻比制作一個(gè)MOS管難得多，所以負(fù)載電阻常用MOS管來(lái)代替。

MOS管導(dǎo)通后的導(dǎo)通電阻（漏極與源極之間的電阻）與其跨導(dǎo)gm有關(guān)?？鐚?dǎo)大的則其導(dǎo)通電阻小。

驅(qū)動(dòng)管T1的跨導(dǎo)較大，一般為100～200μA/V；而負(fù)載管T2的跨導(dǎo)較小，一般為5～10μA/V。因此，T2的導(dǎo)通電阻比T1要大許多。

（2）工作原理

當(dāng)輸入端A為1時(shí)，T1的柵源電壓VGS大于它的開(kāi)啟電壓，T1導(dǎo)通。由于T2的柵極與漏極相聯(lián)并接到正電源VDD上，其柵源電壓也一定大于開(kāi)啟電壓，T2總是處于導(dǎo)通狀態(tài)。

又因?yàn)門(mén)1的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)比T2的小，其管壓降很小，故輸出端Y為0。當(dāng)輸入端A為0時(shí)，T1的柵源電壓低于它的開(kāi)啟電壓，T1截止，而T2總是處于導(dǎo)通狀態(tài)，故輸出端Y為1。

2.NMOS“與非”門(mén)電路

（1）電路結(jié)構(gòu)

NMOS“與非”門(mén)電路如圖2所示，其中，T3為負(fù)載管，T1和T2相串聯(lián)，為驅(qū)動(dòng)管。

圖1 NMOS“與非”門(mén)電路

圖2 NMOS“或非”門(mén)電路

（2）工作原理

當(dāng)A，B兩個(gè)輸入端全為1時(shí)，T1</FONT>與T2</FONT>兩管導(dǎo)通，它們的導(dǎo)通電阻都比負(fù)載管的低得多，因此這兩個(gè)驅(qū)動(dòng)管的管壓降都很小，輸出端Y為0。

當(dāng)輸入端有一個(gè)或全為0時(shí)，則串聯(lián)的驅(qū)動(dòng)管截止，輸出端Y為1，這時(shí)與高電平輸入端相聯(lián)的管子形成導(dǎo)電溝道。

3.NMOS“或非”門(mén)電路

圖2 是NMOS“或非”門(mén)電路，T1和T2兩個(gè)驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)，然后再與負(fù)載管T3串聯(lián)。

當(dāng)A，B兩個(gè)輸入端全為1或其中一個(gè)為1時(shí)，則相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)管導(dǎo)通，輸出端Y為0。只有當(dāng)輸入端A，B全為0時(shí)，T1和T2都截止，輸出端Y才為1。這種“或非”邏輯關(guān)系可用下式表示：

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