KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極...KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極低導通電阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷減少開關...
MOS管在功率放大電路中具有高頻響應快、導通損耗低和驅動效率高等核心優(yōu)勢；廣...MOS管在功率放大電路中具有高頻響應快、導通損耗低和驅動效率高等核心優(yōu)勢；廣泛應用于專業(yè)音響系統(tǒng)、舞臺設備、汽車電子和射頻功率放大等領域。 1.高效率與大功...
當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cg...當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個參數(shù)對于驅動電路的設計至關重要，因為它決定了驅動器需要提供的最大充電電流...
KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術制造，...KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術制造，極低導通電阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低柵極電荷，減...
步進電機控制器通過發(fā)出脈沖信號來驅動步進電機，實現(xiàn)對電機轉動角度、速度和方...步進電機控制器通過發(fā)出脈沖信號來驅動步進電機，實現(xiàn)對電機轉動角度、速度和方向的精確控制，是一種專門用于控制步進電機運行的設備。
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)...碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。
