KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進(jìn)的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進(jìn)的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低柵極電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 堅(jiān)固的多晶硅柵極工藝
1.如果使用過(guò)溫保護(hù)功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時(shí)需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用過(guò)溫保護(hù)功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時(shí)需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用過(guò)溫保護(hù),R3接入1k左右電阻,同時(shí)RNTC、R4為懸空狀態(tài)。
U相N下管:mcu的5v管腳控制導(dǎo)通,0控制關(guān)斷。 U相N上管:在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候...U相N下管:mcu的5v管腳控制導(dǎo)通,0控制關(guān)斷。 U相N上管:在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候,U相對(duì)應(yīng)的自舉電路電容是在充電的,此時(shí)UGH的控制腳UH為1,將UGH拉在GND上,保證上...
當(dāng)VCC有效時(shí),PMOS的體二極管率先導(dǎo)通,隨后S極的電壓由先前的0V變成了(VCC-0...當(dāng)VCC有效時(shí),PMOS的體二極管率先導(dǎo)通,隨后S極的電壓由先前的0V變成了(VCC-0.7),此時(shí)Vgs = 0 -(VCC-0.7)= -VCC+0.7。
當(dāng)KEY輸出為低電平時(shí),Q1的柵源電壓Vgs=0,Q1不導(dǎo)通。因?yàn)镼1不導(dǎo)通,所以Q2的柵...當(dāng)KEY輸出為低電平時(shí),Q1的柵源電壓Vgs=0,Q1不導(dǎo)通。因?yàn)镼1不導(dǎo)通,所以Q2的柵源之間電壓相等,所以Q2也不導(dǎo)通,所示VOUT沒(méi)有輸出。
背靠背MOS驅(qū)動(dòng),S極背靠背,可以看到它是外置MOS,可以根據(jù)需求選擇MOS,提高系...背靠背MOS驅(qū)動(dòng),S極背靠背,可以看到它是外置MOS,可以根據(jù)需求選擇MOS,提高系統(tǒng)的帶載能力。