普遍來說，最高效的方式開始都是恒流充電（充電速度較快)，然后是恒壓充電（充...普遍來說，最高效的方式開始都是恒流充電（充電速度較快)，然后是恒壓充電（充電速度下來了，因為電池本身的電壓上去了)，最后是涓流充電（在充滿電后，補償因自放...
KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化 堅固的多晶硅柵極工藝
1.如果使用過溫保護功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用過溫保護功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用過溫保護，R3接入1k左右電阻，同時RNTC、R4為懸空狀態(tài)。
U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時候...U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時候，U相對應(yīng)的自舉電路電容是在充電的，此時UGH的控制腳UH為1，將UGH拉在GND上，保證上...
當VCC有效時，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0...當VCC有效時，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
當KEY輸出為低電平時，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導(dǎo)通。因為Q1不導(dǎo)通，所以Q2的柵...當KEY輸出為低電平時，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導(dǎo)通。因為Q1不導(dǎo)通，所以Q2的柵源之間電壓相等，所以Q2也不導(dǎo)通，所示VOUT沒有輸出。
