高溫反偏測試主要用于驗(yàn)證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對象是MOSFET邊緣結(jié)...高溫反偏測試主要用于驗(yàn)證長期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬...SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點(diǎn)，而這個平衡點(diǎn)就是開...優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點(diǎn)，而這個平衡點(diǎn)就是開關(guān)導(dǎo)通時漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形，理想的驅(qū)動波形如...
電源正常接入，也就是電源沒有正負(fù)反接，此時電源正常對負(fù)載供電。假設(shè)拿掉MOS...電源正常接入，也就是電源沒有正負(fù)反接，此時電源正常對負(fù)載供電。假設(shè)拿掉MOS管g極的電阻R1，此時MOS管將不導(dǎo)通，但Vin可以通過MOS管的體二極管對負(fù)載進(jìn)行供電。...
靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵...靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路； 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，...
電阻R1，電容C2，雙向二極管D2構(gòu)成鋸齒波發(fā)生器，接通 電源 后，C2經(jīng)R1充電，當(dāng)...電阻R1，電容C2，雙向二極管D2構(gòu)成鋸齒波發(fā)生器，接通 電源 后，C2經(jīng)R1充電，當(dāng)C2的電壓達(dá)到D2的擊穿電壓時，尖電流脈沖加到BG2的柵極，由于變壓器的耦合作用，電...
