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PMOS管--空穴遷移率低分析-KIA MOS管

P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況...P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對(duì)值普通偏高，有較...

SiC MOSFET電路大功率多管并聯(lián)實(shí)例分享-KIA MOS管

SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更...SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密...

電路設(shè)計(jì)：折疊式共源共柵兩級(jí)放大器-KIA MOS管

中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電...中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電路的放大倍數(shù)很大，即使選擇L很小依然滿足放大要求。而且這樣一來(lái)可以盡可能的減小...

開(kāi)關(guān)電源上的MOSFET選擇：參數(shù)分析-KIA MOS管

通常，最小柵極電壓（對(duì)于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電...通常，最小柵極電壓（對(duì)于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電壓會(huì)導(dǎo)通MOSFET。在最小柵極電壓的最高點(diǎn)和最大柵極電壓的最低點(diǎn)之間的電壓可能讓M...