MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致...MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流...
在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：“transit...在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：“transit frequency”(fT)截止頻率
當(dāng)通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)，其功耗應(yīng)該是寄生二極管的正向電...當(dāng)通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)，其功耗應(yīng)該是寄生二極管的正向電壓×電機(jī)電流。然而實(shí)際上，有時(shí)功耗可能會(huì)大于這個(gè)計(jì)算值。
柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開(kāi)關(guān)時(shí)間。開(kāi)關(guān)時(shí)間如表1...柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開(kāi)關(guān)時(shí)間。開(kāi)關(guān)時(shí)間如表1所示種類(lèi)，一般而言，規(guī)格書(shū)上記載td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧...在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。其中，Cgs、Cgd的容...
MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影...MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影響。
