框中的上方ICO為輸出電容器、下方ICIN為輸入電容器的電流波形。輸入電容器可從...框中的上方ICO為輸出電容器、下方ICIN為輸入電容器的電流波形。輸入電容器可從VIN充電，當(dāng)晶體管Q1為ON時(shí)會(huì)放出開(kāi)關(guān)電流IDD。比較大的電流會(huì)急劇反復(fù)流動(dòng)。輸出電...
在理想情況下，當(dāng)電容器安裝在直流電壓電源上時(shí)，根據(jù)電容隔直通交的特性，沒(méi)有...在理想情況下，當(dāng)電容器安裝在直流電壓電源上時(shí)，根據(jù)電容隔直通交的特性，沒(méi)有電流會(huì)流向電容器。但是，如果電容兩端的實(shí)際電壓不是單純的直流電壓時(shí)，比如電壓有...
電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因?yàn)?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者...電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因?yàn)?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者接近于零，需要電感磁芯的處理能力大于等于電感儲(chǔ)存的能量，磁芯體積與處理能力成正...
輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當(dāng)然這是理想情況下的波形，即忽略...輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當(dāng)然這是理想情況下的波形，即忽略了整流二極管的內(nèi)阻。ΔV為電壓紋波大小，它根據(jù)負(fù)載的要求而定義。
一個(gè)具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個(gè)示例中，驅(qū)動(dòng)器IC的供電電壓等于...一個(gè)具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個(gè)示例中，驅(qū)動(dòng)器IC的供電電壓等于V1、V2之和，而MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為導(dǎo)通狀態(tài)下的+V1和關(guān)斷狀態(tài)下的–V2（相對(duì)于M...
在開(kāi)關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將...在開(kāi)關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將導(dǎo)致一定的損耗，具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間（參見(jiàn)圖2）。目標(biāo)是要較大程度地減...
