MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外...MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在...
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結...MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一...
IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成非線性電容器。對柵極電容充電會使功率器件...IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成非線性電容器。對柵極電容充電會使功率器件導通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動，而放電時，它會關閉器件，然后可能會在...
在反激電路中，一旦 MOSFET 管關斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸?shù)礁边叄└?..在反激電路中，一旦 MOSFET 管關斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸?shù)礁边叄└心芰繀s無法被轉(zhuǎn)移，這會導致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因，...
上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為Lck...上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為Lckt。如上所述，它們包括走線電感和封裝電感。與Lck成環(huán)的寄生電容主要來自處于關斷狀...
下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負載瞬態(tài)測試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負載...下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負載瞬態(tài)測試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負載電流。注意到負載電流上升斜率與下降斜率并不相同，較緩的上升斜率對應較小的電壓跌...
