通常推挽拓?fù)渲泄β使苓x用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電...通常推挽拓?fù)渲泄β使苓x用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓，這正是由于推挽變換器漏感所致。這就迫使設(shè)計(jì)師不得不降低變壓器漏感，選用更高...
配置PWM互補(bǔ)輸出的死區(qū)時(shí)間，本質(zhì)上就是在配置TIM1高級(jí)控制定時(shí)器的剎車和死區(qū)...配置PWM互補(bǔ)輸出的死區(qū)時(shí)間，本質(zhì)上就是在配置TIM1高級(jí)控制定時(shí)器的剎車和死區(qū)寄存器（TIMx_BDTR）中的DTG[7:0]（死區(qū)發(fā)生器設(shè)置）部分。
相對(duì)于PWM來說，死區(qū)時(shí)間是在PWM輸出的這個(gè)時(shí)間，上下管都不會(huì)有輸出，當(dāng)然會(huì)使...相對(duì)于PWM來說，死區(qū)時(shí)間是在PWM輸出的這個(gè)時(shí)間，上下管都不會(huì)有輸出，當(dāng)然會(huì)使波形輸出中斷，死區(qū)時(shí)間一般只占百分之幾的周期。但是當(dāng)PWM波本身占空比小時(shí)，空出...
上圖所示，正常情況下或者說理想情況下，我們希望電源逐漸上升直到建立穩(wěn)定的電...上圖所示，正常情況下或者說理想情況下，我們希望電源逐漸上升直到建立穩(wěn)定的電源域；但是實(shí)際上在某些情況下出現(xiàn)灰色框圖中的問題，電源電壓突然下降然后再次上升...
這種非常高電壓的N溝道功率MOSFET是使用MDmesh設(shè)計(jì)的? K5技術(shù)基于創(chuàng)新的專有垂...這種非常高電壓的N溝道功率MOSFET是使用MDmesh設(shè)計(jì)的? K5技術(shù)基于創(chuàng)新的專有垂直結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是，對(duì)于需要高功率密度和高效率的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻和超低柵極電荷顯著...
在電源芯片內(nèi)部，不管是DCDC芯片，還是LDO芯片，都是通過電阻分壓來獲取反饋。...在電源芯片內(nèi)部，不管是DCDC芯片，還是LDO芯片，都是通過電阻分壓來獲取反饋。當(dāng)輸出上面的電容并聯(lián)的容值太大，由于電容上電瞬間需要充電，相當(dāng)于對(duì)地短路，大部...
