圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn ON 時(shí)CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當(dāng)開關(guān)頻率變高時(shí)，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)...半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)計(jì)方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時(shí)流過的電流的能量?jī)?chǔ)存在線路...
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即...對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過之后就會(huì)產(chǎn)生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過之后就會(huì)產(chǎn)生功率損耗，一般用RDS(ON)來表示，傳導(dǎo)損耗一般來說和MOS的大小成反比，體積越大，其導(dǎo)通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開通過程會(huì)在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開通過程會(huì)在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過米勒電容CGD產(chǎn)生位移電流，從而在門極驅(qū)動(dòng)電阻和寄生...
