下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MO...下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MOSFET必須安裝在電源端。其中漏極D必須連接到電池的正極，柵極必須連接到系統(tǒng)接地端。...
熱阻，英文Thermal resistance，指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度...熱阻，英文Thermal resistance，指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W。
TA是指元器件所處的環(huán)境溫度，這個(gè)值在半導(dǎo)體制造商處的定義如圖1所示。然而，...TA是指元器件所處的環(huán)境溫度，這個(gè)值在半導(dǎo)體制造商處的定義如圖1所示。然而，在實(shí)際的產(chǎn)品中是不可能有這樣的環(huán)境來滿足TA測試條件的。
功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對于提供散熱非常重要。從...功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對于提供散熱非常重要。從名稱本身來看，它將吸收功率器件的熱量并幫助控制器件內(nèi)部安全區(qū)的溫度。
假定設(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃?？紤]...假定設(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃?？紤]到結(jié)到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可...
與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電...與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率，但也產(chǎn)生電壓（dv/dt）和電流（...
