通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來(lái)減...通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來(lái)減慢MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門(mén)極電壓尖峰。
圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來(lái)的誤開(kāi)通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對(duì)管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓快速的...圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來(lái)的誤開(kāi)通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對(duì)管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓快速的上升產(chǎn)生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產(chǎn)生位移電流( igd)。
當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時(shí)間偏移時(shí)，測(cè)量結(jié)果明顯偏高或偏低，而器件的開(kāi)...當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時(shí)間偏移時(shí)，測(cè)量結(jié)果明顯偏高或偏低，而器件的開(kāi)關(guān)速度越快，偏移的影響就越明顯。圖1為MOS管的關(guān)斷損耗測(cè)量原理圖，由此可見(jiàn)，只有...
一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通...一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為...
下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨...下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨界模式（BCM）的PFC向LED供電的。
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該...雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開(kāi)關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
